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2004年6月「6インチのヒ素ドープシリコン単結晶」は、北京市主要なハイテク成果変革プロジェクトとして認定

2005年2月「6インチのヒ素ドープシリコン単結晶と研磨ウェーハ」が北京科学技術賞の最優秀賞を受賞

2005年11月「ヒ素ドープシリコン単結晶と研磨ウェーハ」が中国科学技術進歩賞の2等賞を受賞

2007年3月「直径12インチのシリコン単結晶研磨ウェーハ」は2005-2006年の中国半導体革新製品として評価された

2008年2月「6インチのヒ素ドープシリコン単結晶と研磨ウェーハ」が2007年の中国半導体革新製品として評価された

2008年1月「CZシリコン単結晶の製造に使用したドーピング法と装置」が中国特許金賞を受賞

2009年5月「超大規模集積回路プロセス装置用の300mmを超える大直径シリコン単結晶」が中国独自開発した最初の製品を獲得

2013年12月「ナノ集積回路機器向けのハイエンドシリコン単結晶材料の研究開発」が中国非鉄金属産業科学技術賞の最優秀賞を受賞

2016年1月「200mm低抵抗率リコン単結晶研磨ウェーハ技術」が中国非鉄金属産業科学技術賞の最優秀賞を受賞

2016年12月「シリコン材料の固有欠陥マップ」が中国非鉄金属産業科学技術賞の三等賞を受賞

2017年3月中国半導体産業協会から「2016年中国半導体材料企業トップ10」の称号を授与された

2017年12月「太陽電池用シリコン単結晶」は、中国半導体機器と標準化技術委員会材料サブ技術委員会の技術標準優秀賞の一等賞を受賞

2018年4月中国半導体産業協会から「2017年中国半導体材料企業トップ10」の称号を授与された

2018年4月「200mm low COPシリコンウェーハ」が「第12回（2017）中国半導体革新的製品と技術」賞を受賞

2018年11月「シリコン研磨ウェーハ表面パーティクル測定法」が、中国半導体機器と標準化技術委員会材料サブ技術委員会技術標準優秀賞の一等賞を受賞

2019年5月中国半導体産業協会から「2018年中国半導体材料企業トップ10」の称号を獲得

2019年6月中国電子材料産業協会から「中国電子材料産業協会の第3回（2019）トップ50企業」の称号を授与された

2019年9月「300mmシリコンリング」が「北京市新技術?新製品（サービス）証明書」を受賞

2019年12月「大型シリコンウェーハ超精密研削研磨技術と設備」が中国技術発明賞二等賞を受賞

2020年2月「IGBT用8インチシリコン鏡面ウェーハ」が北京新技術·新製品（サービス）証明書を取得

2020年8月中国半導体産業協会から「2019年中国半導体材料企業トップ10」の称号を獲得

2020年8月「IGBT用8インチシリコン鏡面ウェーハ」は「第14回（2019）中国半導体革新製品と技術」と評価された

2020年11月「シリコン単結晶抵抗率測定、ストレート4プローブ法、DC2プローブ法」が中国半導体機器と材料標準化技術委員会材料サブ技術委員会の技術標準優秀賞を受賞

2020年12月「IGBT用8インチシリコン鏡面ウェーハ」が中国非鉄金属産業科学技術賞の二等賞を受賞

2020年12月「8インチ高電圧FRD用シリコン鏡面ウェーハ」が北京新技術·新製品（サービス）証明書を取得

2021年6月中国半導体産業協会から「2020年の中国半導体材料企業トップ10」の称号を授与された。

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