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方永义，男，毕业于城西国际大学经营信息研究科，获博士学位。现任株式会社RS Technologies董事长、北京有研艾斯半导体科技有限公司董事长，有研半导体硅材料股份公司董事长。
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周旗钢，男，正高级工程师，毕业于清华大学材料工程专业，获硕士学位。现任中国有研科技集团有限公司副总经理、党委委员、北京有研艾斯半导体科技有限公司副董事长。
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张果虎，男，正高级工程师，毕业于中南工业大学应用物理专业，获中国人民大学工商管理硕士学位。现任北京有研艾斯半导体科技有限公司董事，有研半导体硅材料股份公司董事、总经理 、法定代表人。
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远藤智，男，毕业于国立一关工业高等专业学校。现任株式会社RS Technologies董事、北京有研艾斯半导体科技有限公司董事。
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古头泰则，男，毕业于山形大学高分子化学，获工学学位。现任山东有研艾斯半导体材料有限公司技术总监、北京有研艾斯半导体科技有限公司董事。
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钱鹤，男，清华大学集成电路学院教授，博士。获国家技术发明二等奖、北京市科技进步一等奖、中科院科技进步二等奖、政府特殊津贴等多种奖励。目前的科研工作主要集中在新型半导体存储器方面。
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孙根志华，男，毕业于明治大学政治经济学，获经济学博士学位。现任城西国际大学教授、博士生导师。
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邱洪生，男，注册高级风险管理师、高级经济师、注册资产评估师、全国中小企业管理咨询专家、注册并购交易师、天津财经大学商学院会计专业教授。现任中国华大电子科技有限公司、中电光谷控股有限公司独立董事。
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袁少颖，女，大成律师事务所合伙人律师，获日本大阪大学法学研究科法学硕士学位。现任中日金融协会中国法律顾问、上海海外联谊会中日分会/中日法友会秘书长、绍兴海外联谊会特聘涉外专家律师、绍兴市青年联合会委员、白沙泉并购联合会法律专业委员会委员/日本办事处负责人。